型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin(3+Tab) TO-262 Tube984610+￥8.9880100+￥8.5386500+￥8.23901000+￥8.22402000+￥8.16415000+￥8.08927500+￥8.029310000+￥7.9993 -
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品类: MOS管描述: MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK939910+￥10.9560100+￥10.4082500+￥10.04301000+￥10.02472000+￥9.95175000+￥9.86047500+￥9.787410000+￥9.7508 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK95765+￥5.859025+￥5.425050+￥5.1212100+￥4.9910500+￥4.90422500+￥4.79575000+￥4.752310000+￥4.6872 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。13905+￥24.148850+￥23.1168200+￥22.5389500+￥22.39441000+￥22.24992500+￥22.08485000+￥21.98167500+￥21.8784 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 60V 295A 3Pin(3+Tab) TO-262 Tube63085+￥12.741350+￥12.1968200+￥11.8919500+￥11.81571000+￥11.73942500+￥11.65235000+￥11.59797500+￥11.5434 -
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品类: MOS管描述: Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 100V; 59A; 200W; TO26228175+￥28.758650+￥27.5296200+￥26.8414500+￥26.66931000+￥26.49722500+￥26.30065000+￥26.17777500+￥26.0548 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 20V 67A 3Pin(3+Tab) TO-262401710+￥8.0160100+￥7.6152500+￥7.34801000+￥7.33462000+￥7.28125000+￥7.21447500+￥7.161010000+￥7.1342 -
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品类: MOS管描述: TO-262 N-CH 100V 43A591110+￥10.5240100+￥9.9978500+￥9.64701000+￥9.62952000+￥9.55935000+￥9.47167500+￥9.401410000+￥9.3664 -
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品类: MOS管描述: N沟道 40V 120A38465+￥12.320150+￥11.7936200+￥11.4988500+￥11.42511000+￥11.35132500+￥11.26715000+￥11.21457500+￥11.1618 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能852810+￥7.2600100+￥6.8970500+￥6.65501000+￥6.64292000+￥6.59455000+￥6.53407500+￥6.485610000+￥6.4614 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail18225+￥5.143525+￥4.762550+￥4.4958100+￥4.3815500+￥4.30532500+￥4.21015000+￥4.172010000+￥4.1148 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 900V 2.8A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail753610+￥9.1440100+￥8.6868500+￥8.38201000+￥8.36682000+￥8.30585000+￥8.22967500+￥8.168610000+￥8.1382 -
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品类: MOS管描述: N沟道 600V 10.5A78505+￥4.401025+￥4.075050+￥3.8468100+￥3.7490500+￥3.68382500+￥3.60235000+￥3.569710000+￥3.5208 -
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品类: MOS管描述: MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK91181+￥49.519810+￥46.6785100+￥44.5678250+￥44.2431500+￥43.91841000+￥43.55312500+￥43.22845000+￥43.0254 -
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品类: MOS管描述: 这些n沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形Dmos技术生产。这一先进技术是专为最大程度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适用于高效开关Dc/Dc转换器和开关电源应用。99765+￥13.665650+￥13.0816200+￥12.7546500+￥12.67281000+￥12.59102500+￥12.49765000+￥12.43927500+￥12.3808 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN(集电极发射极结二极管) 800V 3A802010+￥7.3800100+￥7.0110500+￥6.76501000+￥6.75272000+￥6.70355000+￥6.64207500+￥6.592810000+￥6.5682 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK26341+￥60.823510+￥58.1790100+￥57.7030250+￥57.3328500+￥56.75101000+￥56.48652500+￥56.11635000+￥55.7990 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCI7N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V617410+￥9.2280100+￥8.7666500+￥8.45901000+￥8.44362000+￥8.38215000+￥8.30527500+￥8.243710000+￥8.2129
